非易失存储器的设计与建模暂无高速DRAM设计与建模
发布时间：2023-06-27
浏览次数：
1、技术名称和应用领域
存储器的设计与建模。
2、技术目标 目前在技术方面存在的困难以及需解决的问题：非易失存储器和高速DRAM，由于其存储单元bitcell与工艺相关，工艺厂家不愿意开放单元的相关电参数和版图，希望协调拿到bitcell的电参数版图和数据手册。 3、主要技术指标 获得bitcell的面积、功耗、读写电压电流、器件IV特性，版图结构等信息。 4、期望的合作方式及拟投入资金 公司通过提供的bitcell，自己开发IP，并授权给第三方使用，中间获得的IP授权费按照一定的比例与foundry分成。 拟投入资金：100万元。 5、联系方式 张艳玲，15084890235 廖敏，13574106059